Modern technology gives us many things.

حلول جديدة للذواكر الخلوية

0 434

مازال امر الذاكرة يشغل الكثير من مستخدمي الهواتف الذكية، فحتى بعد توسعتها تبقى الشكوى مستمرة، رغم ان هناك حلولا وقائية وضعت لاولئك الذين يملؤونها بسرعة فائقة:

كنا عرضنا سابقا وتكلمنا عن محاولات جديدة لجعل البطارية لاتفرغ بسرعة:

حلول جديدة لبطارية الاندرويد من غوغل

لكن مشكلة الذواكر كانت موازية لهذه المشكلة كذلك، حيث جرت تعليمات وقائية كنقلها للذاكرة الخارجية االواسعة الخ..

http://www.windowsphone.com/ar-sa/how-to/wp8/phones-and-hardware/use-an-sd-card-to-add-space

 

ولكن من أخبار جديد المحاولات الهامة:

ذواكر الوصول العشوائي أو اختصاراً RAM في الحواسب أو الهواتف النقالة تعتمد على تطبيق التيار الكهربائي لتخزين المعلومات، ذواكر DRAM الموجودة حالياً كمثال تستخدم المكثفات للشحن، هذه المكثفات فيما إن تم شحنها أو لا تدل على قيمة البت فيما إن كان 0 أم 1.

العملية المذكورة تتم بسرعة هائلة لكن هناك بعض السلبيات لهذا الأمر فعند فقدان التيار تفقد البيانات كما أن تطبيق التيار الكهربائي يستهلك طاقة ويصدر عنه حرارة فماهو الحل للوصول إلى ذواكر عشوائية RAM لاتحتاج لكي تعمل إلى تطبيق التيار الكهربائي؟

تمكن باحثون من جامعة كورنيل الأمريكية من الوصول إلى طريقة قد تحول الحلم إلى حقيقة وذلك عن طريق اكتشاف مهم وهو إمكانية بقاء البيانات في ذاكرة RAM بدون تطبيق تيار مستمر عليها في حالة واحدة فقط وهي عند استخدام مادة تدعى مركب حديد البزموت، أي يمكن لهذه الذواكر الحفاظ على البيانات المخزنة فيها عند انقطاع التيار منها لفترة من الزمن. حديد البزموت عبارة عن مادة كيميائية تملك خاصية غير عادية حيث تملك حقل مغناطيسي دائم وكذلك استقطاب كهربائي مستمر.

تطبيق الحقل الكهربائي على التقنية الجديدة لذواكر RAM يمكنه تغيير القطبية التي تبقى على حالها إن لم يتم تطبيق حقل مضاد حيث يمكن قراءة هذا الاستقطاب كقيمة بت وهذا الأمر يمكن من استخدام هذه التقنية في الذواكر التي ستصبح بحاجة فقط للتيار عند تغيير القطبية مما سينتج عنه توفير كبير في استهلاك الطاقة وكذلك إلغاء الحرارة الناتجة.

إمكانيات هذا الابتكار ومجال استخدامه كبير جداً لكنه مازال في بدايات تطوره كما من المهم الإشارة بأن هؤلاء الباحثين وضعوا جهازاً واحداً يملك بت واحد فقط بالمقارنة مع ذاكرة RAM عادية التي تملك ملايين الترانسيستورات والمكثفات.

2-

كشفت شركتا إنتل وميكرون Micron الثلاثاء النقاب عن تقنية مبتكرة للذواكر، أطلقتا عليها اسم 3D XPoint (تُقرأ: 3D CrossPoint “ثري دي كروس بوينت”)، وقالتا إنها ستغير صناعة الذواكر جذريا.

وأوضحت الشركتان أن “ثري دي كروس بوينت” صنف جديد من الذواكر التي لديها القابلية للاستخدام كذاكرة وصول عشوائي “رام” RAM، وذاكرة تخزين داخلية SSD، معا.

وتزعم إنتل وميكرون أن التقنية “الثورية” تعد اختراقا علميا في مجال تقنيات معالجة الذواكر، فهي الأولى الجديدة منذ إطلاق تقنية الذواكر الفلاشية “ناند” NAND منذ نحو 25 عاما.

وتقول الشركتان إن الذواكر الجديدة تمتاز بأنها سريعة ومتينة للغاية، فهي أسرع بألف مرة – في كل من سرعات القراءة والكتابة – ثم إن لها القدرة على التحمل أكثر من ذاكرة الفلاش NAND المستخدمة حاليا في “أقراص التخزين الساكنة” SSD.

وتضيف إنتل وميكرون أن ذواكر “ثري دي كروس بوينت” تمتاز بأنها أكثف بعشرة أضعاف، مما يؤدي إلى المزيد من سعة التخزين في نفس الحيز المادي، فيما تحافظ على نفس فعالية وتوافرية ذواكر NAND الحالية.

إنتل تكشف عن ذواكر أسرع بألف مرة من الذواكر المستخدمة حاليا

وشدد مارك دوركان، الرئيس التنفيذي لشركة ميكرون، على أنه لا ينبغي الخلط بين التقنية الجديدة وبين ذاكرة “ثري دي فلاش” 3D Flash المستخدمة في أحدث أقراص SSD التي تنتجها ميكرون؛ لأن ذواكر “ثري دي كروس بوينت” فئة جديدة تماما من الذواكر.

ووفقا لنائب رئيس إنتل، روب كروك، ستُستخدم ذواكر “ثري دي كروس بوينت” بادئ الأمر مع واجهة “بي سي آي إكسبريس” PCIe نظرا لكونها الأكثر استخداما في الحواسيب الشخصية، ثم إن لديها أكبر سرعة ناقل من أي واجهة طرفيات أخرى في الوقت الحالي.

ومع ذلك، ولما كانت واجهة PCIe غير قادرة حتى الآن على التعامل مع السرعة المحتملة لذواكر “ثري دي كروس بوينت”، ترى الشركتان إنه سيكون من الواجب في المستقبل تطوير طرق جديدة لذلك، وقد يتطلب الأمر بنية جديدة كليا للوحات الأم.

ويُأمل أن تعزز تقنية “ثري دي كروس بوينت”، مع أدائها العالي جدا، تجربة الحواسيب الشخصية على نحو كبير، وخاصة في مجال ألعاب الفيديو، نظرا لقدرتها على تحميل كميات كبيرة من البيانات في الذاكرة بسرعة كبرى. وعلاوة على ذلك، فإن أيا من التطبيقات التي تتطلب كمونا منخفضا في التخزين ستستفيد أيضا من التقنية الجديدة.

وتقول إنتل إن “ثري دي كروس بوينت” ثمرة سنين من البحث والتطوير، والتغلب على العديد من العقبات، بما في ذلك، احتمال أن تفشل هذه التقنية.

وأوضحت الشركتان أن “ثري دي كروس بوينت” تمتاز بأنها تخزن البيانات بطريقة مختلفة تماما عما هو مستخدم في ذواكر NAND الحالية، فقد بُنيت الذواكر، بدلا من استخدام أنصاف النواقل التقليدية والتي يجب الوصول إليها بشكل صفوف كاملة، بشكل نمط ثلاثي الأبعاد يتيح الوصول إلى الخلايا على نحو مفرد للكتابة عليها أو القراءة منها.

وقالت الشركتان إن تقنية “ثري دي كروس بوينت” هي الآن في طور الإنتاج، مع وجودة خطة لاختبارها من قبل مجموعة مختارة من العملاء في وقت لاحق من العام الحالي.

ومن جانبهما، تعمل إنتل وميكرون على تطوير منتجاتهما الخاصة القائمة على التقنية التي من المتوقع أن تكون متاحة خلال العام المقبل.

إنتل تكشف عن ذواكر أسرع بألف مرة من الذواكر المستخدمة حاليا

3-

أعلنت شركة سامسونج أمس الأربعاء أنها بدأت إنتاج ذواكر وصول عشوائي “رام” للأجهزة الذكية بسعة 6 جيجابايتات، وذلك تمهيدًا لإطلاق هواتف ذكية أو حاسبات لوحية تضم هذه القدر العالي من الذاكرة.

وقالت الشركة الكورية الجنوبية في بيان إنها بدأت مرحلة الإنتاج الشامل لذواكر “دي رام” DRAM من نوع 12-جيجابتًا “أل بي دي دي آر 4” 12Gb LPDDR4، وبتقنية المعالجة 20 نانومترًا المتقدمة الخاصة بها.

وأضافت سامسونج أنه يُتوقع من ذواكر LPDDR4 الأحدث أن تُسرِّع على نحو كبير اعتماد سعات عالية لذواكر الوصول العشوائي المخصصة للأجهزة الذكية DRAM في جميع أنحاء العالم.

وتجلب ذواكرة 12Gb LPDDR4 أعلى سعة وسرعة متاحة لرقائق DRAM، بينما توفر كفاءة ممتازة في استهلاك الطاقة، وموثوقية، إلى جانب سهولة التصميم.

وبالمقارنة مع ذواكر 8Gb LPDDR4 السابقة، والقائمة أيضًا على تقنية 20 نانومترًا، قالت سامسونج إن نسخة 12Gb أسرع بنسبة 30% عند 4,266 ميجابتًا في الثانية Mbps، وأسرع بمرتين من ذاواكر DDR4 المخصصة للحواسيب الشخصية، في حين تستهلك طاقة أقل بنسبة 20%.

وقالت الشركة إن الجيل القادم من الأجهزة الذكية عالية المواصفات، التي ستضم ذواكر بسعة 6 جيجابايتات، “ستسمح للمستهلكين بالتمتع بميزة تعدد مهام سلسلة وأقصى قدر من الأداء ضمن بيئات أحدث إصدارات نظام التشغيل”.

وتتوقع شركة سامسونج نظرًا لما وصفتها بالفوائد الاستثنائية لذواكر الأجهزة الذكية LPDDR4، أن تتوسع مجالات استخدامها خارج حدود الهواتف الذكية والحاسبات اللوحية لتشمل أجهزة الحاسب فائقة النحافة “ألترابوك”، والأجهزة الرقمية والسيارات، في السنوات المقبلة.

سامسونج تعلن بدء إنتاج ذواكر DRAM بسعة 6 جيجابايتات
4- هل من جديد لعام 2016؟؟؟؟انتظروا جديد الأخبار معنا.

اترك رد

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني.